НИИ ФХП БГУ

Учреждение БГУ "Научно-исследовательский институт физико-химических проблем" (НИИ ФХП БГУ)

Юхневич Анатолий Викторович



Ведущий научный сотрудник лаборатории физико-химических методов исследования учреждения Белорусского государственного университета «Научно-исследовательский институт физико-химических проблем».
 
Кандидат физико-математических наук, доцент.
 
h-index (Scopus) – 4,
h-index (Google science) – 7,
https://scholar.google.ru/citations?user=X6wXKc0AAAAJ&hl=ru
 
Образование:

1961 – физический факультет Белорусского государственного университета;
1961 – 1964 – аспирантура физического факультета Белорусского государственного университета;
1963 – 1964 – стажировка в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе АН СССР, г. Ленинград;
1966 – защита кандидатской диссертации на тему «Исследование радиационных дефектов в монокристаллах кремния методом анализа спектров рекомбинационного излучения»;
1969 – присвоение ученого звания «доцент».
 
Продвижение по службе:

1964 – 1973 – старший преподаватель, доцент кафедры физики полупроводников физического факультета БГУ;
1973 – 1978 – старший научный сотрудник радиохимической лаборатории БГУ;
1978 – 1996 – старший научный сотрудник, ведущий научный сотрудник НИИ ФХП БГУ;
1996 – 2002 – зав. сектором, зав. лабораторией физико-химии поверхности НИИ ФХП БГУ;
2002 – по настоящее время – ведущий научный сотрудник лаборатории физико-химических методов исследования НИИ ФХП БГУ.
 
Научные интересы, разработки:
  • структура совершенных монокристаллов полупроводников (с акцентом на монокристаллы кремния);
  • методы формирования предельно совершенной структуры объема и поверхности кристаллов;
  • атомная структура и физико-химические свойства отдельных «точечных» дефектов структуры кристалла;
  • разработка новых физико-химических методов изучения тонкой структуры кристаллов;
  • разработка новых миниатюрных электронных, оптических, электромеханических, физико-химических приборов и устройств;
  • компьютерное моделирование физико-химических процессов в объеме и на поверхности кристалла.
  
Основные научные достижения:
  • разработка, изготовление и использование в научных исследованиях оригинальных оптических, электронных, электромеханических приборов, позволяющих проводить исследования образцов кристалла в широком диапазоне экспериментальных условий: (температура 2 – 400К; одноосная деформация; облучение фотонами, электронами, ионами, нейтронами; субангстремное пространственное разрешение, и др.);
  • обнаружение и исследование неизвестных ранее люминесцирующих дефектов в кристаллах кремния;
  • определение физико-химических характеристик отдельных дефектов кристалла кремния;
  • предложение  новых радиационно-люминесцентных методов выявления структурных особенностей монокристаллов кремния;
  • выявление особенностей формирования нано-рельефа поверхности кристаллов кремния при растворении;
  • разработка конструкции, изготовление и передача пользователям новых сенсоров, предназначенных для определения атомно-молекулярного состава потоков газа в вакууме и в атмосфере (НПО «Энергия», Россия);
  • разработка и использование в научных исследованиях компьютерных программ, предназначенных для моделирования на атомном уровне процессов формирования рельефа поверхности кристалла.
 
Юхневич А.В. является автором более 120 научных работ, 10 авторских свидетельств СССР на изобретения.
 
Награды:
  • Премия Совета Министров СССР за разработку и внедрение новых приборов для космической техники (1987);
  • Грамота Министерства образования Республики Беларусь (1998);
  • Почетные грамоты БГУ (1996, 2006).
 
Подготовка научных кадров:

Под научным руководством Юхневича А.В. защищены 2 кандидатские диссертации.
 
Педагогическая работа:
  • разработка спецкурса лекций «Микро- и нанотехнологии»;
  • разработка и постановка студенческого практикума из 4 лабораторных работ по тематике данного спецкурса: https://www.bsu.by/Cache/pdf/644323.pdf
 
Избранные публикации:
  1. Хижняк Е.А., Юхневич А.В. Формирование элементов рельефа поверхности монокристаллического кремния в щелочных растворах, содержащих KMnO4 // Вестник БГУ, Сер. 2, Вып. 1.  2007, С.31-36
  2. Yukhnevich A.V. Towards a silicon laser based on emissive structural defects // Solid-State Electronics, 2007. Vol.51, № 3. P.489-492.
  3. Хижняк Е.А., Юхневич А.В. Особенности травления поверхности (001) монокристаллического кремния в растворах на основе гидроксида калия // Журнал общей химии. 2007. Т.77, Вып. 8. С.1233-1237. 
  4. Хижняк Е.А., Юхневич А.В. Дефекты поверхности (001) монокристаллического кремния, травленой в растворах на основе гидроксида калия // Известия НАНБ, Серия химических наук. 2007. № 3. С.42-45.
  5. Юхневич А.В. О возможности создания кремниевого инжекционного лазера на основе излучающих структурных дефектов // Вестник БГУ, Сер. 1. 2007.Вып. 1. С.13-17.
  6. Усенко А.Е., Юхневич А.В. Анизотропное растворение монокристаллического кремния вблизи края химической маски на поверхности (001) // Поверхность. 2009. №8. С. 64-70.
  7. Усенко А.Е., Юхневич А.В. Выявление микродефектов в совершенных монокристаллах кремния методом селективного растворения // Известия Высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2009. №2. С.38-43. 
  8. Usenka A.E., Yukhnevich A.V. Some  features of a microdefect revealing in single-crystal  silicon by  the  preferential  etching technique // Physica B: Condensed Matter, 2009, Vol. 404, № 23-24,  P.4657-4660. 
  9. Юхневич А.В. Формирование нанорельефа поверхности монокристаллов кремния в химически активных средах// Двадцать конкурсных лет (БРФФИ: 1991-2011) / Белорус. респ. фонд фундамент. исслед.; под общей ред. В. А. Орловича. - Минск : Беларуская навука, 2012. - С. 502-520.
  10. Юхневич А.В., Майер И.А., Усенко А.Е. К моделированию технологии изготовления кремниевых МЭМС/НЭМС приборов // Теоретическая и прикладная механика. Международный научно-технический сборник, 2013. Вып. 28. С.123-126.
  11. Юхневич А.В, Майер И.А., Усенко А.Е. К технологии формирования МЭМС/НЭМС-конструкций // Теоретическая и прикладная механика. Международный научно-технический сборник, 2016. Вып. 31.С.50-55.
  12. Юхневич А.В., Майер И.А., Усенко А.Е. К технологии изготовления НЭМС-устройств // Нано- и микросистемная техника.  2017.  №3.  С.158-164.
 
Просмотров: 54