Контакты:

• тел.: +375 (17) 209-52-54
• e-mail: gaevskayatv@bsu.by

Назначение:

Селективное осаждение из растворов токопроводящих рисунков из меди, никеля и др. металлов на поверхность диэлектриков, не содержащих металлическую фольгу, без использования операций фотолитографии


Применение:

• получение жестких и гибких печатных плат, в том числе с переходными отверстиями, кабелей и шлейф-плат
• производство многослойных печатных плат с высокой плотностью монтажа
• изготовление волноводов
• получение нагревательных элементов (для утюгов, ветровых стекол автомобилей)

Технические характеристики:

• природа диэлектрической подложки - полиимид, полиэтилентерефталат, полиамид, ситаллы и др.
• природа проводящего металла - медь, никель, олово, золото
• заданная толщина проводников обеспечивается химическим осаждением из растворов меди или никеля (до 0,2 мкм) и последующим электрохимическим осаждением меди (до 25−35 мкм) или химическим осаждением никеля (до 12 мкм)
• возможно последующее осаждение других металлов и сплавов (например, золота, сплава Sn−Pb)
• минимальные размеры элементов при толщине проводников 0,2─5 мкм составляют 10−20 мкм, а при толщине 10−25 мкм может быть 40–100 мкм
• минимальный диаметр металлизируемых отверстий при толщине диэлектрика 40 мкм составляет 40 мкм
• адгезионная прочность системы «проводящий элемент» - подложка 500–800Н/м
• сопротивление изоляции определяется природой диэлектрика (в случае полиимида достигает 10⁴ Мом)
• число перегибов гибкой подложки (полиимид) до растрескивания медных проводников (при диаметре перегиба 6 мм) − 6000

Преимущества технологии фотоселективного осаждения металлов из растворов:

• снижение затрат труда и материалов вдвое по сравнению с полуаддивным способом производства печатных плат
• варьирование природы осаждаемого металла (медь, никель, олово, золото и др.)
• варьирование толщины покрытий в пределах 0,1−35 мкм и более
• получение проводящих элементов с малыми размерами, начиная от 10 мкм
• получение элементов, не связанных друг с другом в замкнутую схему
• использование нефольгированных диэлектриков разной химической природы

Внедрение: Технология внедрена в НИИ ТОП (Нижний Новгород, РФ), ОАО СИЭМ (Минск, РБ)

Формы сотрудничества: Разработчик на договорной основе готов передать техническую документацию и оказать научно-техническую помощь при внедрении разработки.